Rof EOM 1550nm Modulatore di intensità 2.5G modulatore di niobato di litio a film sottile
Feature
* Perdita d'inserzione bassa
* Alta larghezza di banda
* Bassa tensione di mezz'onda
* Opzione di persunalizazione
Applicazione
⚫ Sistemi ROF
⚫ Distribuzione di chjave quantistica
⚫ Sistemi di rilevazione laser
⚫ Modulazione di banda laterale
Lunghezza d'onda
⚫ 750 nm
⚫ 850 nm
⚫ 1064 nm
⚫ 1310 nm
⚫ 1550 nm
larghezza di banda
⚫ 10 GHz
⚫ 20GHz
⚫ 40GHz
⚫ 50GHz
R-AM-15-2.5G
Parametru | Simbulu | Min | Tipu | Max | Unità | ||||
Parametri ottichi | |||||||||
Operazionelunghezza d'onda | l | 1530 | 1550 | 1565 | nm | ||||
Perdita di inserzione | IL | 4 | 5 | dB | |||||
Perdita di ritornu otticu | ORL | -45 | dB | ||||||
Cambia u rapportu di estinzione @DC | ER@DC | 20 | 23 | 45 | dB | ||||
Rapportu di estinzione dinamica | DER | 13 | dB | ||||||
Fibra ottica | Inputportu | Panda PM Fujikura SM | |||||||
outputportu | Panda PM Fujikura SM | ||||||||
Interfaccia in fibra ottica | FC/PC、FC/APC O utilizatore per specificà | ||||||||
Parametri elettrici | |||||||||
Operazionelarghezza di banda(-3dB) | S21 | 2.5 | 3 | GHz | |||||
Tensione a mezz'onda Vpi | RF | @50KHz |
| 4.5 | 5 | V | |||
Bias | @Bias |
| 6 | 7 | V | ||||
Elettricualperdita di ritornu | S11 | -12 | -10 | dB | |||||
Impedenza di input | RF | ZRF | 50 | W | |||||
Bias | ZBIAS | 1M | W | ||||||
Interfaccia elettrica | SMA(f) |
Cundizioni limite
Parametru | Simbulu | Unità | Min | Tipu | Max |
Input putenza ottica | Pin, Max | dBm | 20 | ||
Input putenza RF | dBm | 28 | |||
tensione di bias | Vbias | V | -15 | 15 | |
Operazionetemperatura | Top | ℃ | -10 | 60 | |
Temperature di almacenamiento | Tst | ℃ | -40 | 85 | |
Umidità | RH | % | 5 | 90 |
Curva S21
& S11 Curva
Curve S21 & S11
Schema meccanicu
PORTU | Simbulu | Nota |
In | Oportu di input ptical | Fibra PM (125μm/250μm) |
Fora | Oportu di output ptical | PM Fibra(125μm/250μm) |
RF | RF portu di input | SMA(f)/ K(f) / V(f) |
Bias | Portu di cuntrollu di bias | 1,2 Bias, 3- catodu PD, anodu 4-PD |
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