L'effettu di u diodu di carburu di siliciu d'alta putenza nantu à u fotodetettore PIN
U diodu PIN di carburu di siliciu d'alta putenza hè sempre statu unu di i punti caldi in u campu di a ricerca di i dispositi di putenza. Un diodu PIN hè un diodu di cristallo custruitu da una strata di semiconductor intrinsicu (o semiconductor cun concentrazione bassa di impurità) trà a regione P+ è a regione n+. L'i in PIN hè una abbreviazione inglese per u significatu di "intrinsic", perchè hè impussibile di esisti un semiconductor puru senza impurità, cusì a capa I di u diode PIN in l'applicazione hè più o menu mischju cù una piccula quantità di P. impurità di tipu o N-tipu. Attualmente, u diodu PIN di carburu di siliciu adopta principalmente a struttura Mesa è a struttura piana.
Quandu a frequenza operativa di u diodu PIN supera 100MHz, per via di l'effettu di almacenamento di uni pochi di trasportatori è l'effettu di u tempu di transitu in a capa I, u diodu perde l'effettu di rettifica è diventa un elementu d'impedenza, è u so valore d'impedenza cambia cù a tensione di bias. À u bias zero o DC reverse bias, l'impedenza in a regione I hè assai alta. In u bias DC forward, a regione I presenta un statu d'impedenza bassa per via di l'iniezione di u trasportatore. Per quessa, u diodu PIN pò esse usatu cum'è un elementu d'impedenza variabile, in u campu di u micru è u cuntrollu RF, hè spessu necessariu di utilizà i dispositi di commutazione per ottene u cambiamentu di signale, in particulare in certi centri di cuntrollu di signali d'alta freccia, i diodi PIN anu superiore. Capacità di cuntrollu di u segnu RF, ma ancu largamente utilizatu in u cambiamentu di fase, modulazione, limitazione è altri circuiti.
U diodu di carburu di siliciu d'alta putenza hè largamente utilizatu in u campu di l'energia per via di e so caratteristiche di resistenza di tensione superiore, principarmenti utilizatu cum'è tubu di rettificatore d'alta putenza. U diodu PIN hà un altu voltage di rottura critica inversa VB, per via di u bassu doping i strati in u mezu chì porta a caduta di tensione principale. Aumentà u spessore di a zona I è riducendu a cuncentrazione di doping di a zona I pò migliurà efficacemente a tensione di ruptura inversa di u diodu PIN, ma a presenza di a zona I migliurà a caduta di tensione in avanti VF di tuttu u dispusitivu è u tempu di commutazione di u dispusitivu. à un certu puntu, è u diodu fattu di materiale di carburu di siliciu pò cumpensà sti carenze. Carbure di siliciu 10 volte u campu elettricu di scompensu criticu di u siliciu, cusì chì u diodu di carburu di siliciu I gruixu di a zona pò esse ridutta à un decimu di u tubu di siliciu, mantenendu una alta tensione di rottura, accumpagnata da a bona conduttività termica di i materiali di carburu di siliciu. , Ùn ci sarà micca prublemi evidenti di dissipazione di u calore, cusì u diodu di carburu di siliciu d'alta putenza hè diventatu un dispositivu rettificatore assai impurtante in u campu di l'elettronica di putenza muderna.
Per via di a so corrente di fuga inversa assai chjuca è di a mobilità elevata di u trasportatore, i diodi di carburu di siliciu anu una grande attrazione in u campu di a rilevazione fotoelettrica. Un picculu corrente di fuga pò riduce a corrente scura di u detector è riduce u rumore; L'alta mobilità di u trasportatore pò migliurà efficacemente a sensibilità di u detector PIN di carburu di siliciu (PIN Photodetector). E caratteristiche d'alta putenza di i diodi di carburu di siliciu permettenu à i detectori PIN di detectà fonti di luce più forti è sò largamente usati in u campu spaziale. U diodu di carburu di siliciu d'alta putenza hè statu attentatu per via di e so caratteristiche eccellenti, è a so ricerca hè ancu sviluppata assai.
Tempu di Postu: 13-Oct-2023