L'effettu di un diodu di carburo di siliciu d'alta putenza nantu àFotodetector PIN
U diodu PIN di carburo di siliciu d'alta putenza hè sempre statu unu di i punti caldi in u campu di a ricerca di dispositivi di putenza. Un diodu PIN hè un diodu di cristallu custruitu interpunendu un stratu di semiconduttore intrinsecu (o semiconduttore cù una bassa concentrazione d'impurità) trà a regione P+ è a regione n+. A i in PIN hè una abbreviazione inglese per u significatu di "intrinsecu", perchè hè impussibile esiste un semiconduttore puru senza impurità, dunque u stratu I di u diodu PIN in l'applicazione hè più o menu mischiatu cù una piccula quantità d'impurità di tipu P o di tipu N. Attualmente, u diodu PIN di carburo di siliciu adotta principalmente a struttura Mesa è a struttura piana.
Quandu a frequenza di funziunamentu di u diodu PIN supera i 100 MHz, per via di l'effettu di almacenamentu di pochi purtatori è di l'effettu di u tempu di transitu in u stratu I, u diodu perde l'effettu di rettificazione è diventa un elementu d'impedenza, è u so valore d'impedenza cambia cù a tensione di polarizazione. À polarizazione zero o polarizazione inversa DC, l'impedenza in a regione I hè assai alta. In a polarizazione diretta DC, a regione I presenta un statu di bassa impedenza per via di l'iniezione di purtatori. Dunque, u diodu PIN pò esse adupratu cum'è elementu d'impedenza variabile, in u campu di u cuntrollu di microonde è RF, hè spessu necessariu aduprà dispositivi di commutazione per ottene a commutazione di u signale, in particulare in certi centri di cuntrollu di signale d'alta frequenza, i diodi PIN anu capacità di cuntrollu di signale RF superiori, ma sò ancu largamente aduprati in circuiti di cambiamentu di fase, modulazione, limitazione è altri.
U diodu di carburo di siliciu d'alta putenza hè largamente utilizatu in u campu di putenza per via di e so caratteristiche di resistenza à a tensione superiore, principalmente utilizatu cum'è tubu raddrizzatore d'alta putenza. UDiodu PINHà una tensione di rottura critica inversa VB alta, per via di u stratu di doping i bassu in u mezu chì porta a caduta di tensione principale. Aumentà u spessore di a zona I è riduce a cuncentrazione di doping di a zona I pò migliurà efficacemente a tensione di rottura inversa di u diodu PIN, ma a presenza di a zona I migliurà a caduta di tensione diretta VF di tuttu u dispusitivu è u tempu di commutazione di u dispusitivu finu à un certu puntu, è u diodu fattu di materiale di carburo di siliciu pò cumpensà queste carenze. U carburo di siliciu hà 10 volte u campu elettricu di rottura critica di u siliciu, in modu chì u spessore di a zona I di u diodu di carburo di siliciu pò esse riduttu à un decimu di u tubu di siliciu, mantenendu una tensione di rottura alta, accumpagnata da a bona conducibilità termica di i materiali di carburo di siliciu, ùn ci saranu micca prublemi evidenti di dissipazione di u calore, dunque u diodu di carburo di siliciu di alta putenza hè diventatu un dispusitivu raddrizzatore assai impurtante in u campu di l'elettronica di putenza muderna.
Per via di a so piccula corrente di dispersione inversa è di l'alta mobilità di i purtatori, i diodi di carburo di siliciu anu una grande attrazione in u campu di a rilevazione fotoelettrica. Una piccula corrente di dispersione pò riduce a corrente scura di u rilevatore è riduce u rumore; L'alta mobilità di i purtatori pò migliurà efficacemente a sensibilità di u carburo di siliciu.Rilevatore PIN(Fotodetector PIN). E caratteristiche di alta putenza di i diodi di carburo di siliciu permettenu à i detectori PIN di rilevà fonti di luce più forti è sò largamente aduprati in u campu spaziale. U diodu di carburo di siliciu di alta putenza hè statu attentu per via di e so eccellenti caratteristiche, è a so ricerca hè stata ancu assai sviluppata.
Data di publicazione: 13 d'ottobre di u 2023