L'effettu di u diode di u carbide di silicon di alta putenza nantu à PIN Potodetettore

L'effettu di u diode di u carbide di silicon di alta putenza nantu à PIN Potodetettore

U DIODE DI BOW-PIGHIA PIN PIN HÈ SEMPRE UNU SEMPRE HOTSPOTI IN U Campu di a Ricerca di Device Power. Un diode Pin hè un diodiu di Crystal per sandwiching una capa d'intrinsica semiconductor (o semiconductor cù una cuncentrazione bassa) trà a regione P +. U I in Pin hè una s abrebazione inglesa per u significatu di "intrinsica", perchè hè impussibile di un pura semiconduttore in l'applicazione hè più di una piccula disgrazio è menu di tippu di tippu. Attualmente, u PIN diodiu di a carbide di silicon carbide principarmenti a struttura di a struttura di a mesa è a struttura di aereo.

Quandu a frequenza operativa di u doodo PIN hè sughjettu à 100 mmhz, à causa di uni pochi trasportatori è effettu tempu per perde l'elementu di rettificazione è diventa un valore di l'impedità, è hè u so valore di a tensione di bias. À a Bias Zero o BIAS in reverse, l'impedenza in a regione sò assai alta. In i bias in avanti DC, a regione presenta un statu di impedenza bassa per via di l'iniezione di u traspurtadore. Dunque, u Piu Diricu pò esse usatu cum'è un elementu di impedimentu variabile, in u Campu di MICROWEAVE Cuncepimentu, ma ancu didi esse usati in modu di signu à u cambiamentu di a fase.

U Diodio di carbide di carbide di silicon d'alta puticazione hè largamente usata in campu di l'agegazione per via di a so principale caratteristiche resistenza, principalmente tubu di altu putere. U PIN diode hà una taltazione alta in alta reversazione VB, per via di a bassu doping I tremendu in u mezzu chì porta a tolda di a tensione principale. Aumentà u spessore di a zona è riduce a cuncentrazione di u doping di a zona in reversa di u PIN, ma a presenza di u materiale di a tenda di u silicu Silicon carbide 10 volte u Campu Elettru Elimaticu Criticu di Silicon, perse chì u spessu pò esse ridutta à una tenta conductazioni di silicon carbide, note ùn seranu micca prublemi di silusdown, mentre ùn sarà micca un altu prublemi termale di silusdown, mentre ùn sarà micca un altu prublemi termale di Silicon Cari, Dispositivu di rectificatore in u campu di l'elettronica elettrica muderna.

A causa di a so mobilità attuale di u traspurtadore inversa è alta, silicon carbide di u piloziu in u campu di a rilevazione di photoelectrica. U picculu attuale di fuga pò riduce u currente scuru di u detettore è riduce u noise; A mobilità di traspurtadore alta pò migliurà ebbili, a sensibilità di Silicon Carbide Pin detector (Photodetector PIN). E caratteristiche di alta putenza di u pacatu di u carbide di silicon Habilitanu i reti per detectà fonti di luce più forte è sò largamente usati in u campu spaziale. U DIODEO ALT POWER SILICON CAUBIDE hè stata pagata à causa di e so caratteristiche eccellenti, è a so ricerca hè ancu statu assai sviluppata.