Nutizie

  • Introduzione à u Laser à Emissione di Bordi (EEL)

    Introduzione à u Laser à Emissione di Bordi (EEL)

    Introduzione à u Laser à Emissione di Bordu (EEL) Per ottene un output laser à semiconduttore d'alta putenza, a tecnulugia attuale hè di utilizà una struttura à emissione di bordu. U risonatore di u laser à semiconduttore à emissione di bordu hè cumpostu da a superficia di dissociazione naturale di u cristallu semiconduttore, è...
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  • Tecnulugia laser à wafer ultraveloce d'altu rendimentu

    Tecnulugia laser à wafer ultraveloce d'altu rendimentu

    Tecnulugia laser à wafer ultraveloce d'alta prestazione I laser ultraveloci d'alta putenza sò largamente usati in a fabricazione avanzata, l'infurmazione, a microelettronica, a biomedicina, a difesa naziunale è i campi militari, è a ricerca scientifica pertinente hè vitale per prumove l'innuvazione scientifica è tecnologica naziunale...
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  • Laser à impulsi di raggi X attosecondi di classe TW

    Laser à impulsi di raggi X attosecondi di classe TW

    Laser à impulsi di raggi X attosecondi di classe TW I laser à impulsi di raggi X attosecondi cù alta putenza è corta durata di l'impulsu sò a chjave per ottene una spettroscopia non lineare ultraveloce è l'imaghjini di diffrazione di raggi X. A squadra di ricerca in i Stati Uniti hà utilizatu una cascata di laser à elettroni liberi à raggi X à dui stadi per pruduce...
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  • Introduzione à u laser à semiconduttore à emissione superficiale di cavità verticale (VCSEL)

    Introduzione à u laser à semiconduttore à emissione superficiale di cavità verticale (VCSEL)

    Introduzione à u laser à semiconduttore à emissione superficiale di cavità verticale (VCSEL) I laser à emissione superficiale di cavità esterna verticale sò stati sviluppati à a mità di l'anni 1990 per superà un prublema chjave chì hà afflittu u sviluppu di i laser à semiconduttore tradiziunali: cumu pruduce uscite laser d'alta putenza cù...
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  • Eccitazione di seconde armoniche in un largu spettru

    Eccitazione di seconde armoniche in un largu spettru

    Eccitazione di seconde armoniche in un largu spettru Dapoi a scuperta di l'effetti ottici non lineari di secondu ordine in l'anni 1960, hà suscitatu un grande interessu di i circadori, finu à avà, basatu annantu à a seconda armonica, è l'effetti di frequenza, hà pruduttu da l'ultraviolettu estremu à a banda infrarossa luntana di...
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  • U cuntrollu elettro-otticu di a polarizazione hè realizatu da a scrittura laser à femtosecondi è a modulazione di cristalli liquidi

    U cuntrollu elettro-otticu di a polarizazione hè realizatu da a scrittura laser à femtosecondi è a modulazione di cristalli liquidi

    U cuntrollu elettro-otticu di a polarizazione hè realizatu per mezu di a scrittura laser à femtosecondi è a modulazione di cristalli liquidi. I circadori in Germania anu sviluppatu un novu metudu di cuntrollu di u signale otticu cumbinendu a scrittura laser à femtosecondi è a modulazione elettro-ottica à cristalli liquidi. Incorporendu cristalli liquidi...
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  • Cambia a velocità di l'impulsu di u laser ultracortu super-forte

    Cambia a velocità di l'impulsu di u laser ultracortu super-forte

    Cambiate a velocità di l'impulsu di u laser ultracortu super-forte I laser super ultracorti si riferiscenu generalmente à impulsi laser cù larghezze d'impulsu di decine è centinaie di femtosecondi, putenza di piccu di terawatt è petawatt, è a so intensità di luce focalizzata supera i 1018 W/cm2. Laser super ultracortu è u so...
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  • Fotodetector InGaAs à fotone unicu

    Fotodetector InGaAs à fotone unicu

    Fotodetector InGaAs à fotone unicu Cù u rapidu sviluppu di LiDAR, a tecnulugia di rilevazione di luce è a tecnulugia di misurazione di distanza aduprata per a tecnulugia di imaging di tracciamentu automaticu di veiculi anu ancu esigenze più elevate, a sensibilità è a risoluzione temporale di u detector adupratu in a tradiziunale luce bassa...
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  • Struttura di u fotodetector InGaAs

    Struttura di u fotodetector InGaAs

    Struttura di u fotodetector InGaAs Dapoi l'anni 1980, i circadori in casa è à l'esteru anu studiatu a struttura di i fotodetector InGaAs, chì sò principalmente divisi in trè tippi. Sò u fotodetector InGaAs metallu-semiconduttore-metallu (MSM-PD), u fotodetector InGaAs PIN (PIN-PD) è l'InGaAs Avalanc...
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  • Fonte di luce ultravioletta estrema ad alta rifrequenza

    Fonte di luce ultravioletta estrema ad alta rifrequenza

    Fonte di luce ultravioletta estrema à alta rifrequenza E tecniche di post-compressione cumminate cù campi bicolori producenu una fonte di luce ultravioletta estrema à flussu elevatu Per l'applicazioni Tr-ARPES, riduce a lunghezza d'onda di a luce di guida è aumentà a probabilità di ionizazione di gas sò mezi efficaci...
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  • Avanzamenti in a tecnulugia di e fonti di luce ultravioletta estrema

    Avanzamenti in a tecnulugia di e fonti di luce ultravioletta estrema

    Avanzamenti in a tecnulugia di e fonti di luce ultravioletta estrema In l'ultimi anni, e fonti ultraviolette estreme à alta armonica anu attiratu una larga attenzione in u campu di a dinamica elettronica per via di a so forte cuerenza, a corta durata di l'impulsu è l'alta energia di i fotoni, è sò state aduprate in vari spettrali è...
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  • Modulatore elettrootticu à film sottile integratu superiore di niobatu di litiu

    Modulatore elettrootticu à film sottile integratu superiore di niobatu di litiu

    Modulatore elettrootticu d'alta linearità è applicazione di fotoni à microonde Cù i requisiti crescenti di i sistemi di cumunicazione, per migliurà ulteriormente l'efficienza di trasmissione di i signali, e persone fusioneranu fotoni è elettroni per ottene vantaghji cumplementari, è a fotonica à microonde...
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