Fotodetettori OFC2024

Oghje demu un'ochjata à OFC2024fotodetettori, chì includenu principalmente GeSi PD/APD, InP SOA-PD, è UTC-PD.

1. UCDAVIS realizza una debule risonanza di Fabry-Perot non simmetrica di 1315,5 nmfotodetettorecù una capacità assai chjuca, stimata à 0,08 fF. Quandu a polarizazione hè -1V (-2V), a corrente scura hè 0,72 nA (3,40 nA), è a velocità di risposta hè 0,93a /W (0,96a /W). A putenza ottica saturata hè 2 mW (3 mW). Pò supportà esperimenti di dati à alta velocità à 38 GHz.
U diagrama seguente mostra a struttura di l'AFP PD, chì hè custituita da una guida d'onda accoppiata à Ge-on-Fotodetector di Sicù una guida d'onda SOI-Ge frontale chì ghjunghje à un accoppiamentu di currispundenza di modu > 90% cù una riflettività di <10%. A parte posteriore hè un riflettore Bragg distribuitu (DBR) cù una riflettività di > 95%. Attraversu u disignu di a cavità ottimizzatu (condizione di currispundenza di fase di andata è ritornu), a riflessione è a trasmissione di u risonatore AFP ponu esse eliminate, risultendu in l'assorbimentu di u rilevatore Ge à quasi u 100%. Nantu à tutta a larghezza di banda di 20 nm di a lunghezza d'onda cintrale, R+T <2% (-17 dB). A larghezza di Ge hè 0,6 µm è a capacità hè stimata à 0,08 fF.

2, l'Università di Scienza è Tecnulugia di Huazhong hà pruduttu un germaniu di siliciufotodiodu à valanga, larghezza di banda > 67 GHz, guadagnu > 6,6. U SACMFotodetector APDA struttura di a giunzione trasversale di pipin hè fabbricata nantu à una piattaforma ottica di siliciu. U germaniu intrinsecu (i-Ge) è u siliciu intrinsecu (i-Si) servenu rispettivamente cum'è stratu d'assorbimentu di luce è stratu di radduppiu di l'elettroni. A regione i-Ge cù una lunghezza di 14 µm garantisce un assorbimentu di luce adeguatu à 1550 nm. E piccule regioni i-Ge è i-Si sò favurevuli à l'aumentu di a densità di fotocorrente è à l'espansione di a larghezza di banda sottu alta tensione di polarizazione. A mappa di l'ochju APD hè stata misurata à -10,6 V. Cù una putenza ottica d'ingressu di -14 dBm, a mappa di l'ochju di i signali OOK di 50 Gb/s è 64 Gb/s hè mostrata quì sottu, è u SNR misuratu hè 17,8 è 13,2 dB, rispettivamente.

3. L'installazioni di a linea pilota BiCMOS di 8 pollici di l'IHP mostranu un germaniuFotodetector PDcù una larghezza di l'aletta di circa 100 nm, chì pò generà u campu elettricu u più altu è u tempu di deriva di u fotoportatore u più cortu. U Ge PD hà una larghezza di banda OE di fotocorrente 265 GHz à 2V à 1,0 mA DC. U flussu di u prucessu hè mostratu quì sottu. A caratteristica più impurtante hè chì l'impiantu tradiziunale di ioni misti SI hè abbandunatu, è u schema di incisione di crescita hè aduttatu per evità l'influenza di l'impiantu ionicu nantu à u germaniu. A corrente scura hè 100 nA, R = 0,45 A / W.
4, HHI presenta InP SOA-PD, custituitu da SSC, MQW-SOA è un fotodetector d'alta velocità. Per a banda O. PD hà una risposta A di 0,57 A/W cù menu di 1 dB PDL, mentre chì SOA-PD hà una risposta di 24 A/W cù menu di 1 dB PDL. A larghezza di banda di i dui hè ~60 GHz, è a differenza di 1 GHz pò esse attribuita à a frequenza di risonanza di SOA. Nisun effettu di mudellu hè statu osservatu in l'immagine reale di l'ochju. SOA-PD riduce a putenza ottica necessaria di circa 13 dB à 56 GBaud.

5. ETH implementa GaInAsSb/InP UTC-PD miglioratu di Tipu II, cù una larghezza di banda di 60 GHz à polarizazione zero è una putenza di uscita elevata di -11 DBM à 100 GHz. Continuazione di i risultati precedenti, utilizendu e capacità di trasportu di elettroni migliorate di GaInAsSb. In questu articulu, i strati di assorbimentu ottimizzati includenu un GaInAsSb fortemente drogato di 100 nm è un GaInAsSb non drogato di 20 nm. U stratu NID aiuta à migliurà a reattività generale è aiuta ancu à riduce a capacità generale di u dispusitivu è à migliurà a larghezza di banda. L'UTC-PD di 64 µm2 hà una larghezza di banda à polarizazione zero di 60 GHz, una putenza di uscita di -11 dBm à 100 GHz è una corrente di saturazione di 5,5 mA. À una polarizazione inversa di 3 V, a larghezza di banda aumenta à 110 GHz.

6. Innolight hà stabilitu u mudellu di risposta in frequenza di u fotodetector di siliciu di germaniu nantu à a basa di cunsiderà cumpletamente u doping di u dispusitivu, a distribuzione di u campu elettricu è u tempu di trasferimentu di a purtatrice generata da a foto. A causa di a necessità di una grande putenza d'ingressu è di una grande larghezza di banda in parechje applicazioni, una grande putenza ottica d'ingressu pruvucarà una diminuzione di a larghezza di banda, a megliu pratica hè di riduce a cuncentrazione di purtatrici in u germaniu per mezu di un cuncepimentu strutturale.

7, L'Università Tsinghua hà cuncipitu trè tippi di UTC-PD, (1) struttura à doppia deriva (DDL) di larghezza di banda di 100 GHz cù UTC-PD à alta putenza di saturazione, (2) struttura à doppia deriva (DCL) di larghezza di banda di 100 GHz cù UTC-PD à alta reattività, (3) MUTC-PD à 230 GHz cù alta putenza di saturazione. Per diversi scenarii d'applicazione, alta putenza di saturazione, alta larghezza di banda è alta reattività ponu esse utili in u futuru quandu si entra in l'era 200G.