Oghje facemu un ochju à OFC2024fotodetettori, chì include principalmente GeSi PD / APD, InP SOA-PD è UTC-PD.
1. UCDAVIS rializeghja un debule risonante 1315.5nm Fabry-Perot non simmetricufotodetettorecun capacità assai chjuca, stimata à esse 0.08fF. Quandu u bias hè -1V (-2V), a corrente scura hè 0.72 nA (3.40 nA), è a rata di risposta hè 0.93a /W (0.96a /W). A putenza ottica saturata hè 2 mW (3 mW). Pò sustene esperimenti di dati à alta velocità di 38 GHz.
U schema seguente mostra a struttura di l'AFP PD, chì hè custituita da una guida d'onda accoppiata Ge-on-Si fotodetettorecù una guida d'onda SOI-Ge frontale chì ottiene > 90% di accoppiamentu in modalità cù una riflettività di <10%. A parte posteriore hè un riflettore Bragg distribuitu (DBR) cù una riflettività di> 95%. Per mezu di u disignu di cavità ottimisatu (condizione di currispundenza di fase di andata), a riflessione è a trasmissione di u resonatore AFP pò esse eliminata, risultante in l'assorbimentu di u detector Ge à quasi 100%. In tutta a larghezza di banda di 20 nm di a lunghezza d'onda centrale, R+T <2% (-17 dB). A larghezza di Ge hè 0.6µm è a capacità hè stimata à 0.08fF.
2, l'Università di Scienza è Tecnulugia di Huazhong hà pruduttu un germanium di siliciuphotodiode avalanche, larghezza di banda> 67 GHz, guadagnà> 6.6. U SACMFotodetettore APDa struttura di a giunzione di pipin trasversali hè fabbricata nantu à una piattaforma ottica di silicone. Le germanium intrinsèque (i-Ge) et le silicium intrinsèque (i-Si) servent respectivement de couche absorbant la lumière et de doublement d'électrons. A regione i-Ge cù una lunghezza di 14 µm garantisce un assorbimentu di luce adeguatu à 1550 nm. I picculi regioni i-Ge è i-Si sò favurevuli à aumentà a densità di fotocorrente è espansione a larghezza di banda sottu alta tensione di bias. A mappa di l'ochju APD hè stata misurata à -10.6 V. Cù una putenza otticu di input di -14 dBm, a mappa di l'ochju di i signali OOK 50 Gb / s è 64 Gb / s hè mostrata quì sottu, è u SNR misuratu hè 17.8 è 13.2 dB. , rispettivamente.
3. IHP 8-inch BiCMOS pilot line installations mostra un germaniumFotodetettore PDcù una larghezza di l'aletta di circa 100 nm, chì pò generà u più altu campu elettricu è u più cortu tempu di drift photocarrier. Ge PD hà una larghezza di banda OE di 265 GHz @ 2V @ 1.0mA DC photocurrent. U flussu di prucessu hè mostratu quì sottu. A più grande funzione hè chì l'implantazione tradiziunale di ioni misti SI hè abbandunata, è u schema di incisione di crescita hè aduttatu per evità l'influenza di l'implantazione di ioni nantu à u germaniu. A corrente scura hè 100nA, R = 0.45A /W.
4, HHI mostra InP SOA-PD, custituitu da SSC, MQW-SOA è fotodetettore d'alta velocità. Per a banda O. PD hà una risposta di 0.57 A / W cù menu di 1 dB PDL, mentri SOA-PD hà una risposta di 24 A / W cù menu di 1 dB PDL. A larghezza di banda di i dui hè ~ 60GHz, è a diferenza di 1 GHz pò esse attribuita à a freccia di risonanza di u SOA. Nisun effettu di mudellu hè statu vistu in l'imaghjini di l'ochju attuale. U SOA-PD riduce a putenza ottica necessaria da circa 13 dB à 56 GBaud.
5. ETH implements Type II improved GaInAsSb / InP UTC-PD, cù una larghezza di banda di 60GHz@ zero bias è un altu putere di output di -11 DBM à 100GHz. Continuazione di i risultati precedenti, utilizendu e capacità di trasportu elettronicu rinfurzatu di GaInAsSb. In questu documentu, i strati di assorbimentu ottimizzati includenu un GaInAsSb assai drogatu di 100 nm è un GaInAsSb undopatu di 20 nm. A capa NID aiuta à migliurà a risposta generale è aiuta ancu à riduce a capacità generale di u dispusitivu è à migliurà a larghezza di banda. U 64µm2 UTC-PD hà una larghezza di banda zero-bias di 60 GHz, una putenza di output di -11 dBm à 100 GHz, è una corrente di saturazione di 5.5 mA. À un bias inversu di 3 V, a larghezza di banda aumenta à 110 GHz.
6. Innolight hà stabilitu u mudellu di risposta di frequenza di u fotodetettore di siliciu di germaniu nantu à a basa di cunsiderà cumplettamente u doping di u dispusitivu, a distribuzione di u campu elettricu è u tempu di trasferimentu di u trasportatore fotogeneratu. A causa di a necessità di una grande putenza di input è una larghezza di banda elevata in parechje applicazioni, un grande input di putenza ottica pruvucarà una diminuzione di a larghezza di banda, a megghiu pratica hè di riduce a cuncentrazione di u trasportatore in germanium da u disignu strutturale.
7, Tsinghua University hà cuncepitu trè tippi di UTC-PD, (1) struttura di larghezza di banda 100GHz doppia strata di deriva (DDL) cù alta putenza di saturazione UTC-PD, (2) struttura di larghezza di banda 100GHz doppia strata di deriva (DCL) cù alta reattività UTC-PD , (3) 230 GHZ di larghezza di banda MUTC-PD cun alta putenza di saturazione, Per diversi scenarii di applicazione, alta putenza di saturazione, alta larghezza di banda è alta reattività pò esse utile in u futuru quandu entra in l'era 200G.
Tempu di post: Aug-19-2024