Paraguni di sistemi materiali materiali fotonichi integrati

Paraguni di sistemi materiali materiali fotonichi integrati
Figura 1 mostra un paragone di dui sistemi Materiali, fosfu indium (INP) è silicon (SI). A rarità di indium face inp un materiale più caru ch'è Si. Perchè i circuiti basati in silicon implicanu menu di crescita epitaxiale, u rendimentu di i circuiti basati in siliciziu hè di solitu più altu ch'è quellu di i circuiti inp. In i circuiti basati in silicon, tedescu (ge), chì hè generalmente usata solu inFHONDetETOR(detettori di luce), precisa a crescita epitaxiale, mentre in i sistemi in interme, ancu di ondi passive deve esse preparati da a crescita epitaxiale. U crescita epitaxial tende à avè una densità di difesa più alta di a crescita di un singulu cristallu, cum'è da un ingot di cristallu. INP SasveGioves Uscorratore Indiversa Un Alghjettivu Indimativu solu in Tostruzioni basati in Silicon, anu un altu cuntrattu indice è longituatu, chì permette à i dispositi basati in silicone è altre strutture più compatti. Ingaasp hà una banda diretta gap, mentre si è ge ùn sò micca. In cunsiquenza, i sistemi materiali d'INP sò superiore in termini di efficienza laser. L'essidi intrinsichi di i sistemi inp ùn sò micca cume stabili è robusta cum'è l'oxide intrinsichi di SI, Silicon dioxidu (sio2). A silicione hè un materiale più forte chì l'usu, chì permette à l'usu di e dimensioni più grande di più grande, vale à dì 300 mm (prestu à esse aghjurnatu à 450 mm) cumparatu cù l'inp. InpModelliin solitu dipende da l'effettu diffiginatu quantum-configatu, chì hè sensibile in temperatura a causa di u muvimentu di a bandera causatu da temperatura. In cuntrastu, a dependenza di a temperatura di i Modulors Basati in Silicon hè assai chjucu.

A tecnulugia di foto in silicuonica hè generalmente cunsiderata solu adattata per u costu di pocu costu, corta, i prudutti di alta voluminu (più di 1 milioni di pezzi per annu). Questu hè perchè hè assai accettatu chì una grande quantità di capacità wafer hè obligata di sparghje e costi di mascara è di sviluppu, è chìTecnulugia di mocilica in Siliconhà svantaghji significativamente i prestazioni in Applicazioni Regiunali Regiunali è à a Cità In realtà, ogni modu, u cuntrariu hè veru. In pocu costu, corta gamma, applicazioni di alta rende, a superficia verticale di a cavità di a cavità (VCLAN) èlaser direttu (DMl laser): Laser assai modlulatu per una grande pressione competitiva, è a debule di a tecnulugia fotonica di silicon chì ùn pò micca facilmente integrate i lasers. In cuntrastu, in metro, appicienza à longa distanza, perta a a preferenza per a infunzioni di u segnaghju di Silicon è trasfurmazioni di u signale di a forma di alta (ch'ellu hè spessu in l'ambienti di u signale di u vestitu à l'altri temperatura), hè più vantaghju per separà Inoltre, tecnulugia di retazione coherente pò cumpone per e scurtà di foto di silicon Photograpons à una grande parte di una grande foto, cume u prublema chì u currente scuru hè assai più chjuca di u fotorratore localatore. In listessu tempu, hè dinù sbagliatu di pensà chì una quantità quantità di carichi di carichi è di sviluppu ixicati, perchè e tecniche cumplementari o più avanzate è e funzioni di produzzione necessia.