Abstrattu: a struttura basica è principiu di travaglià di avalanche photoDetettor (Fotografia APD FOTOPATUR) sò introdutta, u prucessu di evoluzione, u statutu di u dispusitivu, u statutu di u restu attuale hè riassuntu, è u futuru sviluppatu di APD hè pruspectivamente studiatu.
1. Introduzione
Un fotodetettore hè un dispusitivu chì converta i segnali di luce in segnali elettrici. In aPhotoDetettore Semicondirturor, u trasportatore generatu di foto eccitevu da l'incidente photos entre in a circuitu esternu sottu à a tentura è facilmente autumicava una fotoreble misurabile. Ancu à a rispondenza massima, un potodiodu di pin pò solu pruduce un paru di coppie elettronica à a maiò parte, chì hè un dispusitivu senza guadagnà internu. Per una rispunsezza più grande, un podidiu avalanche (APD) pò esse usatu. L'effettu di amplificazione di APD in fotocurrent hè basatu annantu à l'effettu di collisione ionizazione. In certe cundizioni, l'elettroni accelerati ponu uttene abbastanza energia per colpi cù u lattice per pruduce un novu paru di boie elettronicu. Stu prucessu hè una reazione di catena, per chì u paru di assicurazione elettronica generata da assorpzione ligera pò pruduce un gran numaru di coppia elettronica è formanu una grande fotohorrist. Dunque, APD hà un altu reattività è guadagnante internu, chì migliurà u segnu rende ratio di u dispusitivu. APD sarà principalmente usata in i sistemi di cumunicazione di fibre à longu o più chjucu cù altre limitazioni annantu à u putere otticu ricevutu. Attualmente hè presente, tanti esperti otticu sò assai ottimisti nantu à i prospettidi di apd, è credi chì a ricerca di APD hè necessità per rinfurzà a cumpetenzazioni internaziunale internaziunale.
2. Sviluppu tecnicu diPotODetettore Avalanche(Fotograpetore APD)
2.1 Materiali
(1)SI Fotodetettor
Si Tecnulugia Materiale hè una tecnulugia maturu chì hè largamente usata in u campu di microelectronica, ma ùn hè micca adattatu per a preparazione di preparenza di 1,31mm è 1.55mm chì sò generalmente accettati in u campu d'ottica.
(2) GE
Eppuru chì a risposta spettrale di Ge APD hè adattatu per i requisiti di a perdita bassa è una dispersione bassa in trasmissione di fibre ottica, ci sò grandi difficultà. Inoltre, u raportu di u Rateu di u Rateu di u Rateu di Ge Giro hè vicinu () 1, cusì hè difficiule per appruntà i dispositi APD di alta realizazione.
(3) in0.53ga0.47as / inp
Hè un metudu efficace per selezziunà in0.53ga0.47as cum'è a capa di l'absorzione di luce è inp cum'è a capa multiplica. L'Absorption Peak of In0.53ga0.47A Materiale hè 1,31MM, 1.51MM Orlata hè di 104cm-1 COEfficiente Alta Assorzione per l'absorzione di rilevore.
(4)Ingaas PhotoDetector/ InFHONDetETOR
Scegliendu l'ingraasp cum'è a strata di l'assorbimentu è l'inp di a risposta multiplier, a risposta d'onda di 1-1.4mm, di l'efficienza alta è alta qualità. Selezziunendu diverse cumpunenti di lega, u megliu spettaculu per evitati d'ala specifiche hè uttenuta.
(5) ingaas / inalas
In0.52AL0.48as materiale hà una banda di banda (1,47ev) è ùn assorbe micca à a lunghezza d'onda di 1,55mm. Ci hè evidenza chì fina in0.52AL0.48AS EPITAXIAL HEPSER pò ottene megliu caratteristiche chì l'inp cum'è una capa multiplicator sottu a cundizione di una iniezione elettronica pura.
(6) In Ingaas / Inalas (P) / Inalas è Ingaas / in (Al) Gaas / Inalas
A tarifa di ierizazione di l'impattu hè un fattore impurtante chì afecta a rendiment di APD. I risultati dimustranu chì u collismu ionizazione di a capa multiva pò esse migliurà intende ingrossà ingema (p) / inalas è inalas superlattice. Utilizendu a struttura di u superlattice, u cumunegna di a banda pò artighjanu artificialmente discontinuità è assicuratevi di a banda di a banda hè più più grande di a Valence Band di δev). Comparatu cù Materiali Bulk Inalas, Ingaas / Inalas Quant's Well Molum Oonization Oonization (a) hè aumentatu significativamente, è l'elettroni è i buchi guadagnanu l'energia extra. A causa di ΔEC >> ΔEV, pò esse prevista chì l'energia hà affettatu l'elettroni Aumenta l'elettronica u otionnation assai più cà a cuntribuzione di a rata di u purizazione di eonizazione. U ratio (k) di a tarifa di ionizazione di l'elettronica à a tarifa di ionizazione di ionizazione. Dunque, u produttu di u guvernu di a banda (GBA) è u rendimentu di u rumore bassu pò esse uttenutu appiccicendu e strutture superlattice. Tuttavia, questu ingema / in quantum quantum Well Struttura Water apd, chì ponu aumentà u valore K, hè difficiule per applicà à i recepassi ottichi. Questu hè perchè u fattore multiplicatu chì afecta a risposta massima hè limitata da u currente scuru, micca u noise multiplicariu. In questa struttura, u currente scuru hè principalmente causatu da l'effettu scumessa di l'ingaas benparente pesca cun un intruduzione, invece di inguaas, invece di in ingumaas, invece di rimpiazza per sorte bè.
Tempu di Post: Nov-13-2023