Una di e proprietà più impurtanti di un modulare otticu hè a so vitezza di modlabilità o a banda di banda o duverebbe almenu u più veloce cum'è l'elettronica dispunibile. Trassisteri avè traccia di transitu sopra 100 Ghz sò stati digià dimustratu in a 90 tecnulugia di a 90 NM silicone, sia a vitezzazione di a caratteristica cum'è a minacce chì hè ripresa [1]. Tuttavia, a larghezza di larghezza di i modatori basati in u silicon presente hè limitatu. A silicon ùn pussede à χ (2) -Nonliarità à causa di a so struttura cretallica crystalline. L'usu di Silicon Strade hà purtatu à risultati interessanti dighjà [2], ma e non linealità ùn permettenu micca ancora per via di i dispositi pratichi. State-of-the Art silicon fotòlutori fotònichi dunque sempre affettati nantu à a dispersione libera in a dispersione di u trasportatore in PN o Pin [3-5]. Mantene inviatu i buntioni biased per esibisce un pruduttu di lunghezza di tensione quant'è VΠL = 0,36 v mm, ma a velocità di a modilazione hè limitata da a Dinamica di i Trasceri di Minurità. Tuttavia, i rati di dati di 10 gbit / s sò stati generati cù l'aiutu di una pre-enphasis di u segnale elettricu [4]. Usendu miniature inversione invece, u bandwidh hè stata a divintata à circa 30 GHz [5,6], ma u voltagelhrtth prodici à v.dl = 40 v mm mm. Sfurtunatamente, in tali fasciu d'effettu di fase Formati di modulazione avanzata cum'è Qam richiede, una risposta lineale è a modellazione di fase pura, facendu l'effettu elettro-otticu (Effettu di Pocke [8]) particularmente desideratu.
2. APPROCU DI SOH
Recentemente, l'approcciu di ibridi in silicon (soh) hè statu suggeritu [9-12]. Un esempiu di un modellu di Soh hè mostratu in Fig. 1 (a). Hè cumpostu di una slit WaveGude guida u campu otticu, è dui strisci di silicione chì cunnette l'allargamentu otticu à l'elettrodi metallichi. L'elettrochi sò situati fora di u campu modificu otticu per evità perdite ottiche [13], figu. 1 (B). U dispusitivu hè rivestitu cù un materiale organicu elettro-otticu chì cumpone uniforme u slot. A tenazione muculing hè purtatu da onda elettrica metallica è abbandunate l'alba di u slot per i strisci di silicon cunduttivu. U campu elettricu resultante poi cambia l'indice di refrattivu in u slot à traversu l'effettu elettro-otticu fast. Dapoi u slot hà una larghezza in l'ordine di 100 NM, uni pochi di volti per generà campi modlating assai forti chì sò in l'ordine di a forza dieletti di a maiò parte di i materiali. A struttura hà una efficienza alta di modulazione da i tempi di modulazione è i campi ottici sò cuncentati in u slot, Fig. 1 (b) [14]. Infatti anzi, implementati di soocuatori di Morti cù a votu. 11]] sò stati mustati, è motululamentu sinusoio in 40 GHz fùbbiatu [15,16]. Tuttavia, a sfida in a custruzione di i modulatori di Soh di alta veloce di alta velocità hè di creà una striscia di cunnessione altamente conductiva. In un circuitu equivalente u slot pò esse rapprisentatu da un capacutore c è l'strisce cunduttiva da resistenti r, fig. 1 (b). U constante RC di u RC currispondente determina a banda di banda di u dispusitivu [10,19.17,18]. Per diminuisce a resistenza R, hè stata suggerita di dope u strisce di silicon [10,14]. Mentre doping aumenta a conductività di e strisce di silicività (è dunque aumenta perdite ottiche), unu paga una pena ottica), a mobilità addiziale hè imparita da l'impastità sparse [10,19,19]. Inoltre, i tentativi di tela più recenti mostranu conductività inesperu.
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Tempu di Post: Mar-29-2023